1、一文中講述了用紅外成像儀測功率半導(dǎo)體芯片溫度的案例使用熱成像儀時的注意事項為了實現(xiàn)精確測量，使用熱成像儀時需要注意如；功率MOSFET的頂部 將器件裝配在PCB上，Vgs=30V，通過電流為94A，工作10分鐘，然后用紅外熱成像儀分別測量它們的頂部溫度；導(dǎo)讀AT400系列工業(yè)在線式測溫紅外熱像儀，為用戶帶來實時測溫+精準分析新體驗，賦能千行百業(yè)作為紅外熱成像領(lǐng)軍者，艾睿；三星S8+FLIR紅外熱像儀1功率測試EnergyPad無線充電器在無負載的情況下，自耗功率約為01W三星S8 plus充電放上手機。

2、上期分析了Boson機芯的參數(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域，Boson長波紅外熱像儀機芯重新定義了尺寸重量和功率SWaP的革新標準，再次引領(lǐng)。

3、紅外熱像儀核心價值讓溫度“看得見”邁瑞迪SenXor專為解決嵌入式溫度成像痛點而生· 微型化革命9*9*8mm3極致封裝比；在眾多熱分析工具中，紅外熱像儀IR Thermography 憑借其非接觸全場實時測溫的獨特優(yōu)勢，成為芯片熱管理工程師們手中的。